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金成吉

编辑:陈家栋 责任编辑: 来源: 审核人: 发布时间：2025-03-20 点击数:

金成吉，集成电路研究所韩根全团队，副研究员，博士毕业于东京大学。研究方向包括先进CMOS器件，新型非易失存储技术与阵列芯片研发；以第一/通讯作者在IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)、Symposia on VLSI Technology and Circuits等微电子领域旗舰会议，以及IEEE Electron Device Letters、IEEE Transactions on Electron Devices等权威期刊发表论文30余篇；主持国家自然科学基金面上项目、青年项目（C类）、后摩尔重大研究计划课题，国家重点研发计划子课题，浙江省“尖兵”研发攻关计划课题。

邮箱：cjjin@xidian.edu.cn

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